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摘要 作为一种新型的存储介质，FLASH以其优良的特性，在嵌入式领域中得到了广泛的应用。本文通过分析FLASH介质的自身特性，并结合嵌入式系统的特点，设计实现于兼容性、可靠性以及开销等方面都得到充分优化的FLASH存储系统。
1 引言
FLASH（闪速存储器）作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其他存储介质有较大区别，使用FLASH时必须根据其自身特性，对存储系统进行特殊设计，以保证系统的性能达到最优。
2 FLASH的特点
FLASH是一种非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory），根据结构的不同可以将其分成NOR FLASH和NAND FLASH两种。但不管哪一种都具有如下特点：
1． 区块结构 FLASH在物理结构上分成若干个区块，区块之间相互独立。比如NOR FLASH把整个Memory分成若干个Sector，而NAND FLASH把整个Memory分成若干个Block；
2． 先擦后写 由于FLASH的写操作只能将数据位从1写成0，不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦操作，将预写入的数据位初始化为1。擦操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节。
3． 操作指令 除了NOR FLASH的读，FLASH的其它操作不能像RAM那样，直接对目标地址进行总线操作。比如执行一次写操作，它必须输入一串特殊的指令（NOR FLASH），或者完成一段时序（NAND FLASH）才能将数据写入到FLASH中。
4． 位反转 由于FLASH固有的电器特性，在读写数据过程中，偶然会产生一位或几位数据错误。这就是位反转。位反转无法避免，只能通过其他手段对结果进行事后处理。
5． 坏块 FLASH在使用过程中，可能导致某些区块的损坏。区块一旦损坏，将无法进行修复。如果对已损坏的区块进行操作，可能会带来不可预测的错误。尤其是NAND FLASH在出厂时就可能存在这样的坏块（已经被标识出）。 | 