|
Atmel宣布了一个完整系列的高效能堆叠式闪存 (Flash) 和 PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory) 模块产品。这些产品适用于要求功耗低和存储器占地小的应用。这种既能提高存储容量又不会占用更多空间的创新方法的理想应用领域包括手机和 PDA（个人数字助理）。这些领域的制造商将因为能够向客户提供更多功能而无需牺牲设计和生产品质而获益匪浅。这些新型模块分别将 16MB Flash 与 8MB PSRAM {AT52BC1661A(T)}、32MB Flash 与 8MB PSRAM {AT52BC3221A(T)}、64MB Flash 与 16MB PSRAM {AT52BC6402J(T)} 或 32MB PSRAM {AT52BC6403J(T)}，以及 128 MB Flash 与 32MB PSRAM {AT52 BC/SQ/SC 1283J} 或 64MB PSRAM {AT52 BC/SQ/SC 1284J} 相结合。 这些模块可用于 2.7V 和 1.8V 条件下，读取时间 (Read Access Time) 短至70毫微秒 (ns)。64MB 和 128MB 模块为闪存设备提供了页面模式 (Page Mode)、突发模式 (Burst Mode) 和同步读取 (Concurrent Read) 功能。页面存取时间短至 25ns，突发传输速度快至 66MHz。其同步功能允许用户在通过一个平面读取数据的同时在另一面编写程序或清除操作。以密度为依据，平面数量从4至32个不等，以有助于设计者迎接挑战。 这些模块采用67球 CBGA（陶瓷球栅阵列）和88球 CBGA 封装。封装尺寸为较小的 8mm x 10mm。这种标准尺寸带来了更大的灵活性，可毫不费力地从一种密度的堆叠式模块转换成另一种模块。结合 8Mb PSRAM 与 16Mb Flash 的模块以 10KU 为单位出售，起售价为3.95美元。
() | 
